[发明专利]一种基于聚F8BT晶体的发光场效应管结构及制备方法有效
申请号: | 202010019461.9 | 申请日: | 2020-01-08 |
公开(公告)号: | CN111192969B | 公开(公告)日: | 2021-01-05 |
发明(设计)人: | 陈润泽;李钰;卜镜元 | 申请(专利权)人: | 大连理工大学 |
主分类号: | H01L51/50 | 分类号: | H01L51/50;H01L51/52;H01L51/54;H01L51/56 |
代理公司: | 大连理工大学专利中心 21200 | 代理人: | 隋秀文;温福雪 |
地址: | 116024 辽*** | 国省代码: | 辽宁;21 |
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摘要: | 本发明属于新型电子元器件制备领域,涉及一种基于聚F8BT晶体的发光场效应管结构及制备方法。本发明将受控蒸发自组装方法与双溶剂方案相结合获得晶体质量很高的晶体阵列,膜的覆盖度也大幅度的提高,有机膜晶体宽度变宽。通过本发明方法获得的高度有序晶体阵列作为发光层相比基于普通薄膜作为发光层的有机发光场效应管具有更低的开启电压,更高的外量子效率以及更好的发光性能。本发明用双溶剂蒸发法制得的发光层相比旋涂制备的薄膜可以实现载流子的快速定向传输。 | ||
搜索关键词: | 一种 基于 f8bt 晶体 发光 场效应 结构 制备 方法 | ||
【主权项】:
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择
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