[发明专利]一种基于聚F8BT晶体的发光场效应管结构及制备方法有效

专利信息
申请号: 202010019461.9 申请日: 2020-01-08
公开(公告)号: CN111192969B 公开(公告)日: 2021-01-05
发明(设计)人: 陈润泽;李钰;卜镜元 申请(专利权)人: 大连理工大学
主分类号: H01L51/50 分类号: H01L51/50;H01L51/52;H01L51/54;H01L51/56
代理公司: 大连理工大学专利中心 21200 代理人: 隋秀文;温福雪
地址: 116024 辽*** 国省代码: 辽宁;21
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摘要: 发明属于新型电子元器件制备领域,涉及一种基于聚F8BT晶体的发光场效应管结构及制备方法。本发明将受控蒸发自组装方法与双溶剂方案相结合获得晶体质量很高的晶体阵列,膜的覆盖度也大幅度的提高,有机膜晶体宽度变宽。通过本发明方法获得的高度有序晶体阵列作为发光层相比基于普通薄膜作为发光层的有机发光场效应管具有更低的开启电压,更高的外量子效率以及更好的发光性能。本发明用双溶剂蒸发法制得的发光层相比旋涂制备的薄膜可以实现载流子的快速定向传输。
搜索关键词: 一种 基于 f8bt 晶体 发光 场效应 结构 制备 方法
【主权项】:
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