[发明专利]半导体结构及半导体结构的形成方法有效
| 申请号： | 202010019475.0 | 申请日： | 2020-01-08 |
| 公开（公告）号： | CN113097301B | 公开（公告）日： | 2023-10-20 |
| 发明（设计）人： | 周飞 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 徐文欣 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种半导体结构及形成方法，包括：提供包括第一区、第二区和第三区的衬底；在第一区形成若干具有第一离子的第一纳米线的第一初始鳍部结构；在第二区形成若干具有第一离子的第二纳米线的第二鳍部结构；在第三区形成具有第三离子的初始第一掺杂层，第三离子的导电类型与第一离子的导电类型相反；在第一区形成源掺杂层，源掺杂层与初始第一掺杂层分别位于第一纳米线两端；在第二区形成漏掺杂层，漏掺杂层与初始第一掺杂层分别位于第二纳米线两端；向初始第一掺杂层掺入与第三离子导电类型相反的第四离子，形成具有与第一离子导电类型相反的第二离子的第一掺杂层；在第一区形成环绕第一纳米线的第一栅极结构。所述方法形成的半导体结构性能得到提升。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 形成 方法 | ||
【主权项】：
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