[发明专利]改善薄膜均匀性的物理气相沉积设备有效
| 申请号： | 202010020311.X | 申请日： | 2020-01-09 |
| 公开（公告）号： | CN110819961B | 公开（公告）日： | 2020-04-17 |
| 发明（设计）人： | 宋维聪;周云;睢智峰 | 申请（专利权）人： | 上海陛通半导体能源科技股份有限公司 |
| 主分类号： | C23C14/35 | 分类号： | C23C14/35;C23C14/50;C23C14/06;C23C14/54 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 | 代理人： | 余明伟 |
| 地址： | 201203 上海市浦东新区中国(上海)自*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种改善薄膜均匀性的物理气相沉积设备，该设备包括腔体、沉积源装置及加热装置；所述沉积源装置位于所述腔体上部，所述加热装置位于所述腔体下部；所述加热装置包括上下叠置的晶圆承载层、加热层及磁场调节层，所述加热层包括多个加热区域，所述多个加热区域用于实现多个不同的加热温度，磁场调节层用于改善沉积薄膜的应力均匀性。本发明的物理气相沉积设备通过改善的结构设计，通过多个加热区域的分区温度控制，由此可以根据晶圆表面不同区域的工艺需要设定不同的工艺温度，并通过磁场调节层的磁场对沉积薄膜的应力均匀性进行进一步的调节，有助于改善沉积薄膜的方阻均匀性和应力均匀性、提高沉积薄膜的品质，提高生产良率。 | ||
| 搜索关键词： | 改善 薄膜 均匀 物理 沉积 设备 | ||
【主权项】：
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