[发明专利]半导体结构及其形成方法在审
| 申请号： | 202010021877.4 | 申请日： | 2020-01-09 |
| 公开（公告）号： | CN111162041A | 公开（公告）日： | 2020-05-15 |
| 发明（设计）人： | 严孟;胡思平 | 申请（专利权）人： | 长江存储科技有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L23/535 |
| 代理公司： | 上海盈盛知识产权代理事务所(普通合伙) 31294 | 代理人： | 董琳 |
| 地址： | 430074 湖北省武汉*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种半导体结构及其形成方法，所述半导体结构包括：第一基底，所述第一基底包括第一连接层以及覆盖所述第一连接层的第一钝化层；覆盖所述第一钝化层表面的介质层；贯穿所述介质层至所述第一连接层表面的导电接触部，所述导电接触部顶部高于所述介质层表面；第二基底，所述第二基底包括第二连接层以及覆盖所述第二连接层的第二钝化层，所述第二钝化层内具有暴露所述第二连接层至少部分表面的第二开口，所述第二开口位置与所述导电接触部在第一基底内的位置对应；所述第一基底与所述第二基底键合连接，所述导电接触部顶部嵌入所述第二开口内，与所述第二连接层连接。所述半导体结构的形成过程简单，成本较低。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
