[发明专利]用于自旋场效应晶体管的自旋信号测量方法及系统有效
| 申请号： | 202010023520.X | 申请日： | 2020-01-09 |
| 公开（公告）号： | CN113176483B | 公开（公告）日： | 2023-04-28 |
| 发明（设计）人： | 孙连峰;彭志盛;蔡金钟;任红轩;池建义 | 申请（专利权）人： | 国家纳米科学中心;中国科学院包头稀土研发中心 |
| 主分类号： | G01R31/26 | 分类号： | G01R31/26 |
| 代理公司： | 北京路浩知识产权代理有限公司 11002 | 代理人： | 杨明月 |
| 地址： | 100190 北*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明实施例提供一种用于自旋场效应晶体管的自旋信号测量方法及系统，该方法包括：对自旋场效应晶体管的漏极和源极之间施加电压，并通过所述自旋场效应晶体管的栅极，得到所述自旋场效应晶体管的第一转移曲线；基于预设磁场方向，对所述自旋场效应晶体管施加多种预设强度的磁场，得到每种预设强度的磁场下所述自旋场效应晶体管的目标转移曲线；根据所述第一转移曲线和所述目标转移曲线，获取不同预设强度的磁场下所述自旋场效应晶体管的自旋信号测量结果。本发明实施例对自旋场效应晶体管的自旋信号进行测量，具有操作简单，通用性强的特点，提高了自旋信号的测量效率，实现了室温条件下的快速测量自旋场效应晶体管的自旋特性。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 自旋 场效应 晶体管 信号 测量方法 系统 | ||
【主权项】：
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