[发明专利]一种集成式GaN器件实时测温系统及其制备方法有效
| 申请号： | 202010023859.X | 申请日： | 2020-01-09 |
| 公开（公告）号： | CN111211112B | 公开（公告）日： | 2021-10-22 |
| 发明（设计）人： | 仇志军;叶怀宇;张国旗 | 申请（专利权）人： | 深圳第三代半导体研究院 |
| 主分类号： | H01L23/544 | 分类号： | H01L23/544;H01L29/778;H01L21/335;G01K7/16 |
| 代理公司： | 北京华创智道知识产权代理事务所(普通合伙) 11888 | 代理人： | 彭随丽 |
| 地址： | 518055 广东省深圳市*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种集成式GaN器件实时测温系统及其制备方法，其制备方法包括：1)蓝宝石衬底上生长高阻GaN缓冲层；2)高阻GaN缓冲层上生长p型掺杂的InGaN层；3)p型InGaN层上生长本征掺杂GaN层；4)本征掺杂GaN层上外延生长本征掺杂AlGaN层；5)选择性刻蚀外延层材料形成刻蚀台面和台阶，并在台面和台阶上淀积氧化铝钝化层；6)选择性刻蚀氧化铝钝化层，并淀积金属电极。本发明利用插入的p型InGaN层作为测温电阻层，并结合四探针测量薄膜电阻的方法，能够实时监测传统GaN MOSFET功率器件的温度变化，有助于确保GaN器件的工作稳定和使用寿命的延长。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 集成 gan 器件 实时 测温 系统 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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