[发明专利]低滚降准二维钙钛矿发光二极管及其制备方法

摘要

本发明公开了一种低滚降准二维钙钛矿发光二极管及其制备方法，从下而上依次设置阴极、空穴传输层、空穴传输层与发光层界面修饰层、钙钛矿发光层、发光层与电子传输界面修饰层、电子传输层、电子注入层、阳极。本发明通过修饰空穴传输层与钙钛矿发光层的界面，不仅减小空穴层与发光层间的空穴注入势垒，改善空穴的注入效率，并且能阻挡空穴层对钙钛矿层的淬灭，提高钙钛矿层的发光效率。本发明还修饰钙钛矿发光层与电子传输层的界面，不仅能钝化钙钛矿表面的缺陷态，同时改善发光层的薄膜质量，抑制非辐射复合，从而进一步提高器件发光效率。