[发明专利]EUV掩模缺陷检测系统及方法在审
| 申请号： | 202010024305.1 | 申请日： | 2020-01-09 |
| 公开（公告）号： | CN111103757A | 公开（公告）日： | 2020-05-05 |
| 发明（设计）人： | 刘立拓;周维虎;余晓娅;吴晓斌;陈晓梅;王宇;石俊凯;黎尧 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | G03F1/84 | 分类号： | G03F1/84;G01N21/956 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 吴梦圆 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 一种EUV掩模缺陷检测系统及方法，其中EUV掩模检测系统包括：极紫外光束，所述极紫外光束斜射入一待测掩模表面；反光杯，用于收集并反射因待测掩模表面缺陷引起的散射光；传输部件，用于将所述反光杯发出的反射光进行传输；探测器，用于接收所述传输部件传输的光信号，获取待测掩模表面缺陷信息。本发明设计将极紫外光束斜射入待测掩模，允许反光杯作为收集部件更加靠近待测掩模表面，进而增大了收集部件NA，提高缺陷引起的散射光收集效率。 | ||
| 搜索关键词： | euv 缺陷 检测 系统 方法 | ||
【主权项】：
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G03 摄影术；电影术；利用了光波以外其他波的类似技术；电记录术；全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺，例如，印刷工艺、半导体器件的加工工艺；其所用材料；其所用原版；其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版，例如掩膜，光掩膜；其所用空白掩膜或其所用薄膜；其专门适用于此的容器；其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如通过电子束；其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM]；PSM空白；其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜；其制备，例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜，例如用于校准或测试的特殊涂层或标记；其制备
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