[发明专利]垂直型器件的制作方法有效
| 申请号： | 202010027027.5 | 申请日： | 2020-01-10 |
| 公开（公告）号： | CN113113496B | 公开（公告）日： | 2022-03-01 |
| 发明（设计）人： | 程凯 | 申请（专利权）人： | 苏州晶湛半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/872 | 分类号： | H01L29/872;H01L29/40;H01L29/06;H01L21/329 |
| 代理公司： | 北京博思佳知识产权代理有限公司 11415 | 代理人： | 曾莺华 |
| 地址： | 215123 江苏省苏州市苏州工*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本申请提供一种垂直型器件的制作方法，以提高垂直型器件的反向击穿电压。该制备方法包括：在N型重掺杂层的正面形成多个第一凹槽；在第一凹槽内以及N型重掺杂层的正面形成N型轻掺杂层，在N型轻掺杂层上形成第二凹槽，第二凹槽位置对应第一凹槽形成；在第二凹槽内以及N型轻掺杂层的正面形成P型半导体层；平坦化P型半导体层，除去位于N型轻掺杂层的正面的P型半导体层，仅保留第二凹槽内的P型半导体层；在上述结构上形成钝化层，钝化层形成有第三凹槽，第三凹槽位于第二凹槽内的部分P型半导体层上、以及相邻的两个第二凹槽之间的N型轻掺杂层上第三凹槽的深度等于钝化层的厚度；形成第一电极和第二电极。 | ||
| 搜索关键词： | 垂直 器件 制作方法 | ||
【主权项】：
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