[发明专利]片上集成AlGaN脉冲激光器制备方法及其器件在审
| 申请号： | 202010027346.6 | 申请日： | 2020-01-10 |
| 公开（公告）号： | CN111200235A | 公开（公告）日： | 2020-05-26 |
| 发明（设计）人： | 康俊杰;袁冶;王新强;王维昀;王后锦;李永德 | 申请（专利权）人： | 松山湖材料实验室 |
| 主分类号： | H01S5/024 | 分类号： | H01S5/024;H01S5/22;H01S5/343 |
| 代理公司： | 深圳市千纳专利代理有限公司 44218 | 代理人： | 刘晓敏 |
| 地址： | 523000 广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种片上集成AlGaN脉冲激光器制备方法及其器件，发明提供的方法步骤简洁，易于实现，生长具有AlGaN波导层和AlGaN载流子限制层的外延结构，并结合芯片工艺制备具有多段功能区的器件，该器件具有脊型波导区、锥形放大区和吸收调制区，各个区域的功能不一样，利用片上集成的AlGaN紫外光放大技术，可以有效地减少器件的尺寸，降低波长，经测试可以达到百瓦级的脉冲功率功率输出；采用高散热系数基板进行封装散热处理，散热效果好，确保器件的正常工作。本发明器件即激光器，采用锥型光放大技术，实现脉冲激光的片上集成放大，能够产生脉冲光，波长为紫外波段，可以应用于生物医疗、紫外通讯、光谱分析等领域。 | ||
| 搜索关键词： | 集成 algan 脉冲 激光器 制备 方法 及其 器件 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于松山湖材料实验室，未经松山湖材料实验室许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202010027346.6/，转载请声明来源钻瓜专利网。
