[发明专利]一种基于GaN/rGO的红外位置传感器、制备方法及检测方法有效
| 申请号： | 202010028257.3 | 申请日： | 2020-01-10 |
| 公开（公告）号： | CN111162161B | 公开（公告）日： | 2022-08-09 |
| 发明（设计）人： | 胡来归;叶怀宇;张国旗 | 申请（专利权）人： | 深圳第三代半导体研究院 |
| 主分类号： | H01L37/02 | 分类号： | H01L37/02;G01B11/00;G01S11/12 |
| 代理公司： | 北京华创智道知识产权代理事务所(普通合伙) 11888 | 代理人： | 彭随丽 |
| 地址： | 518055 广东省深圳市*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明涉及光电传感器领域，提出了一种基于GaN/rGO的红外位置传感器、制备方法及检测方法，其包括GaN衬底，衬底上方两侧的电极和还原氧化石墨烯层。在红外激光光斑照射下GaN的热释电效应，利用器件热释电响应与光斑位移之间的关系，实现对红外光斑位置的探测。与传统基于PN结或肖特基内光效应的光电位置传感器不同，本发明利用GaN自发极化产生的热释电效应来驱动位置传感器工作，该器件具有比硅基器件(1.1eV)更宽的光谱响应范围，从紫光到远红外，大大拓宽了当前商用器件的适用范围。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 gan rgo 红外 位置 传感器 制备 方法 检测 | ||
【主权项】：
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