[发明专利]电子器件在审

专利信息
申请号: 202010029159.1 申请日: 2020-01-10
公开(公告)号: CN111696911A 公开(公告)日: 2020-09-22
发明(设计)人: M·阿加姆;J·皮杰卡克;J·C·J·让森斯 申请(专利权)人: 半导体元件工业有限责任公司
主分类号: H01L21/76 分类号: H01L21/76;H01L21/761;H01L21/762;H01L27/06
代理公司: 中国贸促会专利商标事务所有限公司 11038 代理人: 刘倜
地址: 美国亚*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 发明题为“电子器件”。本发明公开了一种电子器件。所述电子器件可以包括限定沟槽的衬底。在一个实施方案中,半导体主体可以在所述沟槽内,其中,所述半导体主体具有至少0.05欧姆‑厘米的电阻率,并且与所述衬底电隔离。在一个实施方案中,电子部件可以在所述半导体主体内。所述电子部件可以是电阻器或二极管。在一个特定实施方案中,所述半导体主体具有上表面,所述电子部件在上表面内并沿着所述上表面,并且与所述半导体主体的底部间隔开。在另外的实施方案中,所述电子器件还可以包括在所述衬底的有源区内的第一电子部件、在所述沟槽内的隔离结构和在所述隔离结构内的第二电子部件。
搜索关键词: 电子器件
【主权项】:
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