[发明专利]电子器件在审
申请号: | 202010029159.1 | 申请日: | 2020-01-10 |
公开(公告)号: | CN111696911A | 公开(公告)日: | 2020-09-22 |
发明(设计)人: | M·阿加姆;J·皮杰卡克;J·C·J·让森斯 | 申请(专利权)人: | 半导体元件工业有限责任公司 |
主分类号: | H01L21/76 | 分类号: | H01L21/76;H01L21/761;H01L21/762;H01L27/06 |
代理公司: | 中国贸促会专利商标事务所有限公司 11038 | 代理人: | 刘倜 |
地址: | 美国亚*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 本发明题为“电子器件”。本发明公开了一种电子器件。所述电子器件可以包括限定沟槽的衬底。在一个实施方案中,半导体主体可以在所述沟槽内,其中,所述半导体主体具有至少0.05欧姆‑厘米的电阻率,并且与所述衬底电隔离。在一个实施方案中,电子部件可以在所述半导体主体内。所述电子部件可以是电阻器或二极管。在一个特定实施方案中,所述半导体主体具有上表面,所述电子部件在上表面内并沿着所述上表面,并且与所述半导体主体的底部间隔开。在另外的实施方案中,所述电子器件还可以包括在所述衬底的有源区内的第一电子部件、在所述沟槽内的隔离结构和在所述隔离结构内的第二电子部件。 | ||
搜索关键词: | 电子器件 | ||
【主权项】:
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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