[发明专利]高电源抑制比基准电路在审

专利信息
申请号: 202010029689.6 申请日: 2020-01-10
公开(公告)号: CN111190453A 公开(公告)日: 2020-05-22
发明(设计)人: 王宇星;曹薇薇 申请(专利权)人: 无锡科技职业学院
主分类号: G05F1/567 分类号: G05F1/567
代理公司: 无锡盛阳专利商标事务所(普通合伙) 32227 代理人: 顾吉云
地址: 214028 *** 国省代码: 江苏;32
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摘要: 高电源抑制比基准电路,其结构设计简单合理,可降低功耗和投入成本,其包括启动电路模块、带隙基准电路模块,其还包括预调节电路模块,所述预调节电路模块输入端连接电压源VDD,预调节电路模块用于形成内部稳定电压,产生预稳压源Vreg,为带隙基准电路模块供电,启动电路模块分别与所述带隙基准电路模块、预调节电路模块连接,所述带隙基准电路模块采用自偏置电流镜的电流模结构。
搜索关键词: 电源 抑制 基准 电路
【主权项】:
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