[发明专利]功率半导体器件及其制备工艺有效
申请号: | 202010032135.1 | 申请日: | 2020-01-13 |
公开(公告)号: | CN113130650B | 公开(公告)日: | 2022-08-09 |
发明(设计)人: | 不公告发明人 | 申请(专利权)人: | 清纯半导体(上海)有限公司 |
主分类号: | H01L29/78 | 分类号: | H01L29/78;H01L29/872;H01L29/739;H01L21/04 |
代理公司: | 北京三聚阳光知识产权代理有限公司 11250 | 代理人: | 李亚南 |
地址: | 200441 上海市宝山区*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 本发明实施例提供的功率半导体器件及其制备工艺,该功率半导体器件通过在第一导电类型半导体层内设置第一导电类型阱区,在第一导电类型阱区设置第二导电类型阱区,并且第二导电类型阱区被第一导电类型阱区完全包围,这样设置可以降低功率半导体器件的输出电容(Coss),提高其输入电容(Ciss)与输出电容(Coss)的比值,也即Ciss/Coss的值,同时也能降低栅氧化层的电场,最终提高器件的稳定性。 | ||
搜索关键词: | 功率 半导体器件 及其 制备 工艺 | ||
【主权项】:
暂无信息
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