[发明专利]一种添加耦合剂的TiC增强铜基复合材料的制备方法在审
| 申请号： | 202010032378.5 | 申请日： | 2020-01-13 |
| 公开（公告）号： | CN111118324A | 公开（公告）日： | 2020-05-08 |
| 发明（设计）人： | 王彦龙;刘鑫;付翀;徐洁;姜凤阳;常延丽 | 申请（专利权）人： | 西安工程大学 |
| 主分类号： | C22C1/05 | 分类号： | C22C1/05;C22C1/10;C22C32/00;C22C9/00;C23C14/35;C23C14/18;B22F1/02;B22F3/10;B22F3/14;B22F3/24;C22F1/02;C22F1/08 |
| 代理公司： | 西安弘理专利事务所 61214 | 代理人： | 张皎 |
| 地址： | 710048 陕*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： |
本发明公开的一种添加耦合剂的TiC增强铜基复合材料的制备方法，通过磁控溅射制得钛涂覆的碳化钛粉末；然后，采用球磨、压坯及烧结，制得碳化钛增强铜基复合材料，并经过时效处理，获得复合增强的铜基复合材料。本发明方法制得的碳化钛颗粒增强铜基复合材料，经处理后形成TiC及Cu |
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| 搜索关键词： | 一种 添加 耦合 tic 增强 复合材料 制备 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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