[发明专利]一种边缘整齐、光滑的图案化薄膜电极材料生长方法在审
| 申请号： | 202010034480.9 | 申请日： | 2020-01-14 |
| 公开（公告）号： | CN111223770A | 公开（公告）日： | 2020-06-02 |
| 发明（设计）人： | 杨小天;沈兆伟;陆璐;岳廷峰;闫兴振;王超;赵春雷;迟耀丹;高晓红;朱慧超;杨帆;任伟;王艳杰;刘建文;王冶 | 申请（专利权）人： | 吉林建筑大学 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28;H01L21/283 |
| 代理公司： | 长春众邦菁华知识产权代理有限公司 22214 | 代理人： | 周蕾 |
| 地址： | 130000 吉*** | 国省代码： | 吉林;22 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及一种边缘整齐、光滑的图案化薄膜电极材料生长方法，涉及微纳电子器件制备领域。解决现有技术中3D打印方法图案化薄膜电极材料边界不光滑、不整齐的技术问题。本发明提供的边缘整齐、光滑的图案化薄膜电极材料生长方法，其是采用3D打印方法与光刻技术结合薄膜电极材料生长新方法，可实现较低温度条件下制备薄膜电极，降低传统电子制备方法制备电极过程中的能耗与提高薄膜电极材料沉积效率，更为重要的一点是从根本上解决了3D打印形成的图案化薄膜电极材料边界不光滑、不整齐问题，制备得到的图案化薄膜电极材料边缘整齐、光滑(如摘要附图)，具有广阔的应用前景。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 边缘 整齐 光滑 图案 薄膜 电极 材料 生长 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于吉林建筑大学，未经吉林建筑大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202010034480.9/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种抗微放电的铁氧体环行器结构
- 下一篇：冰箱
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
