[发明专利]互电容接近传感器以及使用互电容接近传感器检测物体的方法在审
| 申请号： | 202010034484.7 | 申请日： | 2020-01-14 |
| 公开（公告）号： | CN111722289A | 公开（公告）日： | 2020-09-29 |
| 发明（设计）人： | 山本泰典 | 申请（专利权）人： | 半导体元件工业有限责任公司 |
| 主分类号： | G01V3/00 | 分类号： | G01V3/00;G01V3/08 |
| 代理公司： | 中国贸促会专利商标事务所有限公司 11038 | 代理人： | 刘倜 |
| 地址： | 美国亚*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明题为“互电容接近传感器以及使用互电容接近传感器检测物体的方法”。本发明涉及一种互电容接近传感器以及使用互电容接近传感器检测物体的方法。电容传感器可包括具有重叠电场并且彼此独立工作的两个传感器板。电容传感器还可包括毗邻传感器板定位的接地电极。 | ||
| 搜索关键词： | 电容 接近 传感器 以及 使用 检测 物体 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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