[发明专利]具有芯片到芯片接合结构的半导体存储器装置在审
| 申请号： | 202010035441.0 | 申请日： | 2020-01-14 |
| 公开（公告）号： | CN112447698A | 公开（公告）日： | 2021-03-05 |
| 发明（设计）人： | 郑丞浩 | 申请（专利权）人： | 爱思开海力士有限公司 |
| 主分类号： | H01L25/18 | 分类号： | H01L25/18;H01L23/544;G11C16/04 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人： | 刘久亮;黄纶伟 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 具有芯片到芯片接合结构的半导体存储器装置。一种半导体存储器装置包括：第一芯片，其在第一表面上具有第一焊盘和第一错位检测图案；以及第二芯片，其在一个表面上具有第二焊盘和第二错位检测图案，并且接合至第一芯片的第一表面，以使得第二焊盘与第一焊盘联接。第二芯片可以包括错位检测电路，该错位检测电路联接在第二错位检测图案和测试焊盘之间，并且在第一芯片和第二芯片之间的错位超过预设值以使得第一错位检测图案和第二错位检测图案彼此短路的情况下，将从第一错位检测图案提供的第一电压输出至测试焊盘。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 芯片 接合 结构 半导体 存储器 装置 | ||
【主权项】：
暂无信息
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