[发明专利]激光切割用保护膜剂及其制造方法和被加工物的加工方法有效
申请号: | 202010035445.9 | 申请日: | 2020-01-14 |
公开(公告)号: | CN111454635B | 公开(公告)日: | 2022-08-12 |
发明(设计)人: | 梁仙一;大浦幸伸;吉田博斗;远藤智章 | 申请(专利权)人: | 株式会社迪思科 |
主分类号: | H01L21/302 | 分类号: | H01L21/302;B23K26/18;C09D139/08;C09D5/32;C09D7/63;C09D5/20 |
代理公司: | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人: | 乔婉;黄纶伟 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 提供激光切割用保护膜剂及其制造方法和被加工物的加工方法。包含紫外线吸收剂的保护膜剂在长时间保管时,紫外线吸收剂的紫外线的吸收特性、发光特性等功能会随着时间的经过而降低。例如存在在曝光条件下、高温条件下或碱性条件下,紫外线吸收剂的功能在比较短的期间内降低的问题。因此,本发明的目的在于提供激光切割用保护膜剂,与以往的保护膜剂相比,包含紫外线吸收剂的保护膜剂的功能不容易随着时间经过而降低。根据本发明的一个方式,提供激光切割用保护膜剂,其由至少混合水溶性树脂、有机溶剂以及紫外线吸收剂而得的溶液构成,溶液的Na的含量以重量比计为100ppb以下。 | ||
搜索关键词: | 激光 切割 保护膜 及其 制造 方法 加工 | ||
【主权项】:
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造