[发明专利]一种提升烧结钕铁硼磁体磁性能的方法在审
| 申请号： | 202010035542.8 | 申请日： | 2020-01-14 |
| 公开（公告）号： | CN111180190A | 公开（公告）日： | 2020-05-19 |
| 发明（设计）人： | 杨牧南;钟淑伟;卢耀军;罗三根;吴悦;杨斌 | 申请（专利权）人： | 江西理工大学 |
| 主分类号： | H01F41/02 | 分类号： | H01F41/02;H01F1/057;H01F1/08 |
| 代理公司： | 北京中创阳光知识产权代理有限责任公司 11003 | 代理人： | 张永革 |
| 地址： | 341000 *** | 国省代码： | 江西;36 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种提升烧结钕铁硼磁体磁性能的方法，采用晶界添加的方法加入低熔点纳米金属粉末，使其对晶界进行优化，提升晶界连续性与润湿性，一定幅度内提升磁体的磁性能。其次，结合晶界扩散工艺，低熔点金属的晶界扩容为后续晶界扩散提供了连续的扩散通道，增加其扩散深度和浓度，不仅极有效地提高了磁体的矫顽力，大幅度缩短了扩散时间，减少了制造成本。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 提升 烧结 钕铁硼 磁体 磁性 方法 | ||
【主权项】：
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