[发明专利]一种低温度系数CMOS基准电压源在审

专利信息
申请号: 202010036532.6 申请日: 2020-01-14
公开(公告)号: CN111077933A 公开(公告)日: 2020-04-28
发明(设计)人: 薛冬英;薛乐平 申请(专利权)人: 阿母芯微电子技术(中山)有限公司
主分类号: G05F1/56 分类号: G05F1/56
代理公司: 濮阳华凯知识产权代理事务所(普通合伙) 41136 代理人: 王传明
地址: 528437 广东省中山市火炬*** 国省代码: 广东;44
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摘要: 发明公开了一种低温度系数的CMOS基准电压源,包括启动电路A、基于VBE的基准电压产生电路B、输出电路C、基于VGS的基准电压产生电路D。其中,启动电路与基准源电流镜电路连接,用于电源上电时提供启动电流,使基准电压源脱离简并点;基于VBE的基准电压产生电路产生基于三极管基级‑发射极电压的一阶基准电压;基于VGS的基准电压产生电路产生基于晶体管栅源电压的一阶基准电压。本发明通过双基准电压的加权互补,有效抵消了非线性温度项,降低了温度系数,提高了基准源的稳定性。
搜索关键词: 一种 温度 系数 cmos 基准 电压
【主权项】:
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