[发明专利]一种消除半导体形变的方法在审
| 申请号： | 202010036864.4 | 申请日： | 2020-01-14 |
| 公开（公告）号： | CN113192834A | 公开（公告）日： | 2021-07-30 |
| 发明（设计）人： | 胡咏兵 | 申请（专利权）人： | 东莞新科技术研究开发有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/324 | 分类号： | H01L21/324;H01L21/67 |
| 代理公司： | 广州三环专利商标代理有限公司 44202 | 代理人： | 郝传鑫 |
| 地址： | 523087 *** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及半导体技术领域，公开了一种消除半导体形变的方法，首先将半导体的一面粘接在基板上，半导体的另一面覆盖保护膜，并使基板升温至第一温度，以进行第一阶段热处理，再在基板以预设降温速度降温至常温后，使基板升温至第二温度，以进行第二阶段热处理，通过两个阶段对基板的热处理，以间接对粘接在基板上的半导体进行热处理，从而消除半导体的内应力，进而消除了半导体由于切割等工艺造成的形变。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 消除 半导体 形变 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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