[发明专利]阵列基板的制备方法、阵列基板及显示装置有效
| 申请号： | 202010038487.8 | 申请日： | 2020-01-14 |
| 公开（公告）号： | CN111244033B | 公开（公告）日： | 2023-05-12 |
| 发明（设计）人： | 赵天龙 | 申请（专利权）人： | 重庆京东方显示技术有限公司;京东方科技集团股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/77 | 分类号： | H01L21/77;H01L27/12;H10K59/12 |
| 代理公司： | 北京市立方律师事务所 11330 | 代理人： | 张筱宁;宋海斌 |
| 地址： | 400714 重庆市*** | 国省代码： | 重庆;50 |
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| 摘要： | 本申请实施例提供了一种阵列基板的制备方法、阵列基板及显示装置，涉及阵列基板的技术领域。该制备方法包括如下步骤：在第一阻挡膜层远离第一有机膜层的一侧表面设置一层金属膜层；对第一有机膜层的待刻蚀隔离槽的区域对应的金属膜层和第一阻挡膜层进行刻蚀，形成开口槽；在金属膜层上设置一层光刻胶层，对光刻胶层进行图形化；以图形化的光刻胶层和刻蚀后的金属膜层作为掩膜，对第一有机膜层的待刻蚀隔离槽的区域进行刻蚀，形成隔离槽。本申请实施例用以解决现有技术存在的隔离槽的刻蚀深度不够或第一阻挡膜层受到隔离槽的刻蚀的影响而带来刻蚀损失的技术问题。 | ||
| 搜索关键词： | 阵列 制备 方法 显示装置 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
