[发明专利]高纯锗探测器在审

专利信息
申请号: 202010040757.9 申请日: 2013-12-27
公开(公告)号: CN111211197A 公开(公告)日: 2020-05-29
发明(设计)人: 张清军;李元景;陈志强;李玉兰;马秋峰;赵自然;刘以农;常建平 申请(专利权)人: 同方威视技术股份有限公司
主分类号: H01L31/115 分类号: H01L31/115;H01L31/028;H01L31/0224;G01T1/24
代理公司: 中科专利商标代理有限责任公司 11021 代理人: 赵金强
地址: 100084 北京*** 国省代码: 北京;11
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 发明公开了一种高纯锗探测器,该高纯锗探测器包括:高纯锗晶体,所述高纯锗晶体具有本征区裸露表面;第一电极和第二电极,所述第一电极和第二电极分别与高纯锗晶体的第一接触极和第二接触极相连;和导电保护环,所述导电保护环设置在所述本征区裸露表面中且环绕所述第一电极以将本征区裸露表面阻隔成内区域和外区域。该高纯锗探测器能够通过在高纯锗探测器的本征区裸露表面中设置导电保护环来将该表面的漏电流与检测电流隔离开从而抑制表面漏电流的干扰。
搜索关键词: 高纯 探测器
【主权项】:
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于同方威视技术股份有限公司,未经同方威视技术股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/202010040757.9/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top