[发明专利]高纯锗探测器在审
申请号: | 202010040757.9 | 申请日: | 2013-12-27 |
公开(公告)号: | CN111211197A | 公开(公告)日: | 2020-05-29 |
发明(设计)人: | 张清军;李元景;陈志强;李玉兰;马秋峰;赵自然;刘以农;常建平 | 申请(专利权)人: | 同方威视技术股份有限公司 |
主分类号: | H01L31/115 | 分类号: | H01L31/115;H01L31/028;H01L31/0224;G01T1/24 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人: | 赵金强 |
地址: | 100084 北京*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本发明公开了一种高纯锗探测器,该高纯锗探测器包括:高纯锗晶体,所述高纯锗晶体具有本征区裸露表面;第一电极和第二电极,所述第一电极和第二电极分别与高纯锗晶体的第一接触极和第二接触极相连;和导电保护环,所述导电保护环设置在所述本征区裸露表面中且环绕所述第一电极以将本征区裸露表面阻隔成内区域和外区域。该高纯锗探测器能够通过在高纯锗探测器的本征区裸露表面中设置导电保护环来将该表面的漏电流与检测电流隔离开从而抑制表面漏电流的干扰。 | ||
搜索关键词: | 高纯 探测器 | ||
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的