[发明专利]3D存储器件及其制造方法有效
| 申请号： | 202010042708.9 | 申请日： | 2020-01-15 |
| 公开（公告）号： | CN111211129B | 公开（公告）日： | 2023-10-17 |
| 发明（设计）人： | 张璐;吴智鹏;韩凯;杨川;许波;殷姿 | 申请（专利权）人： | 长江存储科技有限责任公司 |
| 主分类号： | H10B41/35 | 分类号： | H10B41/35;H10B41/27;H10B43/35;H10B43/27 |
| 代理公司： | 北京成创同维知识产权代理有限公司 11449 | 代理人： | 岳丹丹 |
| 地址： | 430074 湖北省武汉*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 公开了一种3D存储器件及其制造方法，包括衬底；位于所述衬底上方的第一栅叠层结构和第二栅叠层结构；贯穿所述第一栅叠层结构和第二栅叠层结构的多个沟道柱；以及位于栅线缝隙中的源极导电通道，所述源极导电通道包括贯穿所述第一栅叠层结构的第一导电通道和贯穿所述第二栅叠层结构的第二导电通道，所述第一导电通道在沿所述衬底表面的方向上不连续，所述第二导电通在沿所述衬底表面的方向上连续且与所述第一导电通道连接。本申请的3D存储器件的源极导电通道中不连续的第一导电通道降低了底部受到的应力，防止了因应力过大导致的源极导电通道的倾斜和塌缩，提高了3D存储器件的良率和可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 存储 器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
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