[发明专利]一种碳化硅晶体的位错识别方法在审
| 申请号： | 202010042808.1 | 申请日： | 2020-01-15 |
| 公开（公告）号： | CN111238910A | 公开（公告）日： | 2020-06-05 |
| 发明（设计）人： | 张九阳;李霞;高宇晗;高超 | 申请（专利权）人： | 山东天岳先进材料科技有限公司 |
| 主分类号： | G01N1/32 | 分类号： | G01N1/32;G01N21/88 |
| 代理公司： | 北京君慧知识产权代理事务所(普通合伙) 11716 | 代理人： | 王宽 |
| 地址： | 250100 山*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种碳化硅晶体的位错识别方法，所述方法包括以下步骤：(1)将碳化硅晶体在碱性腐蚀剂中进行腐蚀；(2)腐蚀完成后，观察位错腐蚀坑形貌，从而将碳化硅晶体中刃位错、螺位错和基平面位错识别；所述碳化硅晶体包括高纯碳化硅和氮掺杂碳化硅，其中，高纯碳化硅的腐蚀时间为5～7min，氮掺杂碳化硅的腐蚀时间为7～9min。本发明通过优化碱性腐蚀的腐蚀时间，将高纯碳化硅和氮掺杂碳化硅的腐蚀时间控制在少于10min，就能将高纯碳化硅或氮掺杂碳化硅中的刃位错、螺位错和基平面位错三种位错准确区别开来；腐蚀时间短且能将晶体中的三种位错准确识别出来。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 碳化硅 晶体 识别 方法 | ||
【主权项】：
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