[发明专利]半导体器件的制造方法有效
| 申请号： | 202010042939.X | 申请日： | 2020-01-15 |
| 公开（公告）号： | CN112786437B | 公开（公告）日： | 2022-12-02 |
| 发明（设计）人： | 许民 | 申请（专利权）人： | 夏泰鑫半导体（青岛）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/033 | 分类号： | H01L21/033;H01L21/8242 |
| 代理公司： | 深圳市赛恩倍吉知识产权代理有限公司 44334 | 代理人： | 彭辉剑;龚慧惠 |
| 地址： | 266000 山东省青岛市黄岛区*** | 国省代码： | 山东;37 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种半导体器件的制造方法，包括：形成掩模叠层、中间层、第一缓冲层、多个第一线性伪特征及其上的第一衬层；去除第一衬层的横向部分来形成多对第一线性图案；在第一线性图案之间填充旋涂硬掩模层，并沉积第二缓冲层；形成多个第二线性伪特征及其上的第二衬层；去除第二衬层的横向部分来形成多对第二线性图案；通过所述第一、二线性图案，来同时蚀刻所述第二线性伪特征、所述第二缓冲层、所述旋涂硬掩模层、和所述第一缓冲层，以部分地暴露所述中间层；和蚀刻所述中间层的暴露部分，以在掩模叠层上形成网格型图案。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 制造 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
