[发明专利]半导体结构及其制造方法有效
| 申请号： | 202010043370.9 | 申请日： | 2020-01-15 |
| 公开（公告）号： | CN112786604B | 公开（公告）日： | 2023-03-24 |
| 发明（设计）人： | 南昌铉;吕寅准 | 申请（专利权）人： | 夏泰鑫半导体（青岛）有限公司 |
| 主分类号： | H10B41/40 | 分类号： | H10B41/40;H10B43/40;H01L23/48;H01L23/535 |
| 代理公司： | 深圳市赛恩倍吉知识产权代理有限公司 44334 | 代理人： | 彭辉剑;龚慧惠 |
| 地址： | 266000 山东省青岛市黄岛区*** | 国省代码： | 山东;37 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种半导体结构，其包括基板，位线堆叠特征和位线间隔部件。基板具有在其上限定的单元区域和外围区域。位线叠层结构形成在单元区域中的有源区域上，其包括:缓冲衬层，其横截面具有向上开口的U形轮廓并限定了内表面；位线导体，布置在U形轮廓中的内表面上；帽盖层，在位线导体上形成。位线间隔部件覆盖位线堆叠特征的侧壁表面。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
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