[发明专利]扩散型场效应晶体管的形成方法有效
| 申请号： | 202010043997.4 | 申请日： | 2020-01-15 |
| 公开（公告）号： | CN111244178B | 公开（公告）日： | 2020-10-16 |
| 发明（设计）人： | 王梦慧;李庆民;祝进专 | 申请（专利权）人： | 合肥晶合集成电路有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06;H01L29/40;H01L21/336 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 曹廷廷 |
| 地址： | 230012 安徽省合*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种扩散型场效应晶体管的形成方法。包括沟槽隔离结构以及厚度较大的第二氧化层，以实现对器件的耐压性能的双重优化，有利于更大程度的提高扩散型场效应晶体管的击穿电压。以及，通过设置厚度较大的第二氧化层以保障器件的耐压性能，一方面可以实现沟槽隔离结构的尺寸的进一步缩减，从而能够降低晶体管器件的导通电阻；另一方面，还可以增加漂移区的离子掺杂浓度，进而同样可以有效降低晶体管器件的导通电阻，如此，即有利于实现导通电阻与耐压的平衡。 | ||
| 搜索关键词： | 扩散 场效应 晶体管 形成 方法 | ||
【主权项】：
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