[发明专利]晶圆薄膜的生长方法、炉管晶圆排布系统以及挡片在审
申请号: | 202010045542.6 | 申请日: | 2020-01-16 |
公开(公告)号: | CN111235549A | 公开(公告)日: | 2020-06-05 |
发明(设计)人: | 潘玉妹;詹冬武;潘国卫 | 申请(专利权)人: | 长江存储科技有限责任公司 |
主分类号: | C23C16/455 | 分类号: | C23C16/455;C23C16/54 |
代理公司: | 北京成创同维知识产权代理有限公司 11449 | 代理人: | 蔡纯;刘静 |
地址: | 430074 湖北省武汉*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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摘要: | 本申请公开了一种晶圆薄膜的生长方法炉管晶圆排布系统,该排布系统包括:炉管;晶舟,位于炉管中,晶舟包括多个放置槽;第一挡片和第二挡片,分别位于晶舟的一端;多个产品片,位于晶舟中,多个产品片的表面均具有薄膜;其中,第一挡片和第二挡片的表面具有与产品片相同类型的薄膜,多个产品片位于第一挡片和第二挡片之间,多个产品片中的部分产品片与第一挡片或第二挡片相邻。通过将挡片与产品片相邻设置,从而防止产品片与不同类型的晶圆直接接触,可以有效避免因热辐射差异造成的产品片厚度超差,可使产品片的厚度更加均匀,一致性更好,提高产品片良品率的同时极大程度的提升了产品品质。 | ||
搜索关键词: | 薄膜 生长 方法 炉管 排布 系统 以及 | ||
【主权项】:
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
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