[发明专利]3D存储器件及其制造方法有效
| 申请号： | 202010046128.7 | 申请日： | 2020-01-16 |
| 公开（公告）号： | CN111211130B | 公开（公告）日： | 2023-01-10 |
| 发明（设计）人： | 王攀;耿静静;王香凝;吴佳佳;张慧;肖梦;刘新鑫 | 申请（专利权）人： | 长江存储科技有限责任公司 |
| 主分类号： | H10B41/27 | 分类号： | H10B41/27;H10B41/35;H10B43/27;H10B43/35 |
| 代理公司： | 北京成创同维知识产权代理有限公司 11449 | 代理人： | 杨思雨 |
| 地址： | 430074 湖北省武汉*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本申请公开了一种3D存储器件及其制造方法。该3D存储器件包括：衬底；位于衬底上方的栅叠层结构，栅叠层结构包括交替堆叠的多个栅极导体和多个层间绝缘层，位于栅叠层结构底部的栅极导体提供底部选择栅极；多个沟道柱，分别贯穿栅叠层结构且被划分为多组，每组包括相邻的多个沟道柱；以及至少一个隔离结构，分别位于相邻的两组沟道柱之间，底部选择栅极被至少一个隔离结构划分为相互隔离的多个底部子栅极，其中，每个底部子栅极用于控制与其相邻的一组沟道柱，不同的底部子栅极分别控制不同组的沟道柱。该3D存储器件在相邻两组沟道柱之间形成隔离结构，从而每个底部子栅极可以分别单独控制每一组沟道柱。 | ||
| 搜索关键词： | 存储 器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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