[发明专利]一种抗EMI超结器件有效
| 申请号： | 202010047093.9 | 申请日： | 2020-01-16 |
| 公开（公告）号： | CN111244153B | 公开（公告）日： | 2021-02-12 |
| 发明（设计）人： | 任敏;郭乔;雷清滢;谢欣桐;孙涵涵;郝超越;高巍;张波 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 成都点睛专利代理事务所(普通合伙) 51232 | 代理人： | 霍淑利 |
| 地址： | 611731 四川省成*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种抗EMI超结器件，属于功率半导体器件技术领域。本发明提出的一种抗EMI超结器件，通过在漂移区内引入高K介质材料柱，从而与纵向相邻的半导体衬底、多晶硅调控栅形成MIS电容，并使多晶硅调控栅与外部电压调控模块相连，在不影响器件耐压的前提下，通过调节多晶硅调控栅上的电位，就可以改变不同漏压下密勒电容Cgd的大小，使Cgd曲线尽可能在低漏压下减小，高漏压下增大，从而实现开关损耗和开关EMI噪声的双向优化。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 emi 器件 | ||
【主权项】：
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