[发明专利]基于表面等离子硅基波导的电光混合半加器及其控制方法有效
| 申请号： | 202010047648.X | 申请日： | 2020-01-16 |
| 公开（公告）号： | CN111061115B | 公开（公告）日： | 2022-06-21 |
| 发明（设计）人： | 许川佩;梁志勋;朱爱军;胡聪;杜社会 | 申请（专利权）人： | 桂林电子科技大学 |
| 主分类号： | G02F3/00 | 分类号： | G02F3/00;G02F1/03 |
| 代理公司： | 北京中济纬天专利代理有限公司 11429 | 代理人： | 石燕妮 |
| 地址： | 541004 广西*** | 国省代码： | 广西;45 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种基于表面等离子硅基波导的电光混合半加器及其控制方法，基于表面等离子硅基波导的电光混合半加器包括二氧化硅底层、第一硅波导层、第二硅波导层、第三硅波导层、第一电调控组件、第二电调控组件、第一电极层和第二电极层，第一二氧化硅层、第一ITO激活薄膜层、第一二氧化硅层和第一电极层依次位于第一硅波导层上，第二二氧化硅层、第二ITO激活薄膜层、第二二氧化硅层和第一电极层依次位于第二硅波导层上，第二二氧化硅层、第二ITO激活薄膜层、第二二氧化硅层和第二电极层依次位于第二硅波导层上。通过利用ITO激活材料薄膜的电调控特性实现了光路通断，从而实现了两位二进制数的加法功能，器件尺寸紧凑，可制造性强。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 表面 等离子 基波 电光 混合 半加器 及其 控制 方法 | ||
【主权项】：
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