[发明专利]一种改善动态特性的超结VDMOS器件有效
| 申请号： | 202010047835.8 | 申请日： | 2020-01-16 |
| 公开（公告）号： | CN111244180B | 公开（公告）日： | 2021-01-22 |
| 发明（设计）人： | 任敏;郭乔;张新;李巍;梅佳明;刘洋;张雪幡;高巍;李泽宏;张波 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学;无锡华润华晶微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06;H01L21/336 |
| 代理公司： | 成都点睛专利代理事务所(普通合伙) 51232 | 代理人： | 霍淑利 |
| 地址： | 611731 四川省成*** | 国省代码： | 四川;51 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及一种改善动态特性的超结VDMOS器件，属于功率半导体器件技术领域。本发明提供的一种改善动态特性的超结VDMOS器件，通过在轻掺杂第一导电类型半导体柱表面引入轻掺杂第二导电类型埋层，并在其上覆盖高K介质材料层和第二多晶硅电极，在不影响器件耐压的前提下，使器件在低漏压下具有较小的Cgd，在高漏压下具有较大的Cgd，实现既能加快开关时间，减小开关功耗，又能减小开关振荡，缓解EMI，从而改善超结器件的动态特性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 改善 动态 特性 vdmos 器件 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于电子科技大学;无锡华润华晶微电子有限公司，未经电子科技大学;无锡华润华晶微电子有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202010047835.8/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
