[发明专利]薄膜制备方法在审
| 申请号： | 202010047837.7 | 申请日： | 2020-01-16 |
| 公开（公告）号： | CN111235537A | 公开（公告）日： | 2020-06-05 |
| 发明（设计）人： | 杨健;郭冰亮;董博宇;宋玲彦;孙鲁阳;颜晓威;马迎功;赵晨光;武学伟;武树波;杨依龙;李新颖;张璐;刘玉杰 | 申请（专利权）人： | 北京北方华创微电子装备有限公司 |
| 主分类号： | C23C14/35 | 分类号： | C23C14/35;C23C14/54;C23C14/08;H01L33/42 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人： | 彭瑞欣;王婷 |
| 地址： | 100176 北京*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供一种薄膜制备方法，其包括：第一沉积步，向工艺腔室中通入工艺气体，并向靶材加载射频功率，以在衬底上沉积薄膜阻挡层，其中，第一沉积步包括至少两个阻挡层沉积时段，每一阻挡层沉积时段采用的射频功率均大于上一阻挡层沉积时段采用的射频功率；第二沉积步，继续向工艺腔室中通入所述工艺气体，并向靶材加载直流功率，以在薄膜阻挡层上沉积薄膜主体层，其中，第二沉积步包括至少两个主体层沉积时段，每一主体层沉积时段采用的直流功率均大于上一主体层沉积时段采用的直流功率。本发明提供的薄膜制备方法，其可以在减少对底部衬底材料或者阻挡层造成的损伤的基础上，提高产能。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜 制备 方法 | ||
【主权项】：
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