[发明专利]一种基于磁控溅射的挠性覆铜工艺有效
| 申请号： | 202010048096.4 | 申请日： | 2020-01-16 |
| 公开（公告）号： | CN111254400B | 公开（公告）日： | 2022-04-22 |
| 发明（设计）人： | 屠国力;田楠;张国亮;丁璇;姜鹏飞;李学银;王晋锋 | 申请（专利权）人： | 武汉依麦德新材料科技有限责任公司 |
| 主分类号： | C23C14/35 | 分类号： | C23C14/35;C23C14/20;C08G73/10;C08L79/08;C08J5/18 |
| 代理公司： | 武汉智嘉联合知识产权代理事务所(普通合伙) 42231 | 代理人： | 赵泽夏 |
| 地址： | 430014 湖北省武汉市东湖新技术开发区高*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种基于磁控溅射的挠性覆铜工艺，其步骤包括：在衬底上依次制备一次交联薄膜和二次交联薄膜，自然冷却后，采用磁控溅射法，于所述二次交联薄膜表面溅射沉积导电线路。本发明通过控制亚胺化反应和交联反应的温度变化速率，使两次所制得的交联薄膜的表面粗糙度产生差异，使较粗糙的二次交联薄膜表面更易溅射沉积金属，且沉积效果牢固，采用磁控溅射所做出的金属层也更加轻薄；同时两次所制得的交联薄膜的热膨胀系数维持在较低水平，有利于金属的长期附着。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 磁控溅射 挠性覆铜 工艺 | ||
【主权项】：
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