[发明专利]具有偏移消除的读出放大器和存储器装置有效
| 申请号： | 202010048328.6 | 申请日： | 2017-10-23 |
| 公开（公告）号： | CN111292783B | 公开（公告）日： | 2021-03-23 |
| 发明（设计）人： | 金泳旭;权赫准;韩相根;元福渊 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | G11C7/18 | 分类号： | G11C7/18;G11C7/12;G11C11/4094;G11C11/4097 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人： | 赵南;张帆 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本申请提供一种存储器装置和读出放大器，读出放大器包括读出放大单元、第一隔离单元和第二隔离单元以及第一偏移消除单元和第二偏移消除单元。读出放大单元包括第一P型金属氧化物半导体(PMOS)晶体管、第二PMOS晶体管、第一N型金属氧化物半导体(NMOS)晶体管和第二NMOS晶体管。在读出放大器的布局中，第一PMOS晶体管和第二PMOS晶体管设置在读出放大器的中部区域，第一NMOS晶体管和第二NMOS晶体管设置在读出放大器的彼此相对侧，第一隔离单元和第一偏移消除单元设置在第一PMOS晶体管和第一NMOS晶体管之间，并且第二隔离单元和第二偏移消除单元设置在第二PMOS晶体管和第二NMOS晶体管之间。在其他布局中，可以掉换PMOS晶体管和NMOS晶体管的位置。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 偏移 消除 读出 放大器 存储器 装置 | ||
【主权项】：
暂无信息
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