[发明专利]一种深紫外LED器件及其制备方法在审
| 申请号： | 202010048790.6 | 申请日： | 2020-01-16 |
| 公开（公告）号： | CN111162070A | 公开（公告）日： | 2020-05-15 |
| 发明（设计）人： | 宓超 | 申请（专利权）人： | 宁波升谱光电股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L25/16 | 分类号： | H01L25/16;H01L33/48;H01L33/58;H01L33/62 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 田媛媛 |
| 地址： | 315103 浙*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本申请公开了一种深紫外LED器件及其制备方法，其中，该器件包括上表面设置有焊盘的基板、位于基板上表面的支架、位于支架顶部的玻璃透镜，其中，基板、支架及玻璃透镜形成一个空腔，且基板及支架表面均设置有导电层；深紫外LED器件还包括：位于空腔内且设置在基板的焊盘上的倒装共晶UVC芯片、倒装共晶静电保护芯片。本申请公开的上述技术方案，利用倒装共晶UVC芯片及倒装共晶静电保护芯片作为深紫外LED器件中的UVC芯片和静电保护芯片，以尽量避免出现倒装共晶UVC芯片及倒装共晶静电保护芯片脱落的情况，并可以尽量避免出现坍塌和断裂，进而可以提高深紫外LED器件的可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 深紫 led 器件 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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