[发明专利]制造具有掩埋栅电极的半导体器件的方法在审
| 申请号： | 202010049972.5 | 申请日： | 2020-01-16 |
| 公开（公告）号： | CN111490095A | 公开（公告）日： | 2020-08-04 |
| 发明（设计）人： | 姜炳在;金允贞;梁世敏;李气范 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/423 | 分类号： | H01L29/423;H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 范心田 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 公开了一种制造具有掩埋栅电极的半导体器件的方法，包括：在具有由器件隔离膜限定的多个有源区的衬底中形成多个栅极沟槽，多个栅极沟槽与多个有源区交叉并沿第一水平方向彼此平行地延伸；在衬底的暴露表面上选择性地形成第一栅极绝缘层；在第一栅极绝缘层和器件隔离膜两者的暴露表面上形成第二栅极绝缘层；以及通过部分地去除第一栅极绝缘层和第二栅极绝缘层来形成多个栅极绝缘层，并形成多个掩埋栅电极。 | ||
| 搜索关键词： | 制造 具有 掩埋 电极 半导体器件 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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