[发明专利]半导体晶片表面金属化的方法在审
| 申请号： | 202010050882.8 | 申请日： | 2020-01-17 |
| 公开（公告）号： | CN113136544A | 公开（公告）日： | 2021-07-20 |
| 发明（设计）人： | 邓国安 | 申请（专利权）人： | 东莞新科技术研究开发有限公司 |
| 主分类号： | C23C14/02 | 分类号： | C23C14/02;C23C14/34;C23C14/14;C23C14/58;C23C14/16 |
| 代理公司： | 广州三环专利商标代理有限公司 44202 | 代理人： | 郝传鑫 |
| 地址： | 523087 *** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明涉及半导体技术领域，公开了一种半导体晶片表面金属化的方法，先在半导体晶片的表面溅射铝，再将半导体晶片的表面的铝与半导体晶片进行合金，以形成铝硅合金层，然后在形成铝硅合金层后的半导体晶片上溅射镍层和锡层，最后在锡层上溅射导电层，从而实现半导体晶片表面金属化，避免了现有技术通过喷涂电镀工序实现半导体晶片表面金属化导致半导体晶片易碎裂的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 晶片 表面 金属化 方法 | ||
【主权项】：
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