[发明专利]一种改进型集成电路TEM小室辐射发射测量装置及方法有效
| 申请号： | 202010051010.3 | 申请日： | 2020-01-17 |
| 公开（公告）号： | CN111175640B | 公开（公告）日： | 2022-07-19 |
| 发明（设计）人： | 吴建飞;郑亦菲;李雅菲;张红丽;李宏;吴健煜;王宏义;郑黎明;刘培国 | 申请（专利权）人： | 天津市滨海新区军民融合创新研究院;中国人民解放军国防科技大学 |
| 主分类号： | G01R31/28 | 分类号： | G01R31/28;G01R31/00 |
| 代理公司： | 长沙国科天河知识产权代理有限公司 43225 | 代理人： | 徐志宏 |
| 地址： | 300450 天津市滨*** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | 本发明涉及集成电路测试技术领域，公开一种集成电路TEM小室测量系统及方法，以获取测试的多维数据确保测试的准确度。本发明系统包括：TEM小室，用于接收被测芯片发射的电磁场；电磁干扰测试接收机，通过射频线与所述TEM小室相连，用于采集所述TEM小室发出的电磁场信号；电源，用于向被测芯片供电；计算机及相应的控制软件，用来控制和监控测试接收机和相应的测试组件；其中，所述TEM小室包括手电筒形场探头，所述TEM小室测试窗为圆形并配备带有刻度的圆形隔离环；所述TEM小室的外壁设有与所述圆形隔离环上刻度相对应的参照标识；所述手电筒形场探头与所述圆形隔离环之间设有发生角度旋转用的滑移结构。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 改进型 集成电路 tem 小室 辐射 发射 测量 装置 方法 | ||
【主权项】：
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