[发明专利]柔性基底上低温沉积光学性能可调氮化硅的方法

摘要

本发明提供一种柔性基底上低温沉积光学性能可调氮化硅的方法，包括提供衬底，并在所述衬底上形成柔性基底；通过电感耦合等离子体化学气相沉积法在所述柔性基底上沉积光学可调的氮化硅薄膜，其中沉积温度为25‑150℃，并通入反应载气，所述反应载气包括硅气源和氮气源，所述氮气源和所述硅气源流量比为0.5‑16，所述氮化硅薄膜厚度为30nm‑1000nm；采用物理机械或化学方法将所述柔性基底从所述衬底上剥离；具有有益效果：在柔性基底上低温沉积光学性能可调的氮化硅薄膜，不会软化或熔融柔性基底，通过调整的氮气源和硅气源流量比获得不同折射率的氮化硅薄膜，可应用于可见光波段低损耗波导，扩展以氮化硅为光学器件材料应用的范围和形式。