[发明专利]功率覆盖结构及其制作方法有效
| 申请号： | 202010052240.1 | 申请日： | 2014-03-14 |
| 公开（公告）号： | CN111508912B | 公开（公告）日： | 2023-08-01 |
| 发明（设计）人： | A.V.高达;S.S.乔汉;P.A.麦康奈利 | 申请（专利权）人： | 通用电气公司 |
| 主分类号： | H01L23/367 | 分类号： | H01L23/367;H01L23/433;H01L23/495;H01L23/538;H01L25/065;H01L23/488;H01L21/60 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 危凯权;王丽辉 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明涉及功率覆盖结构及其制作方法。一种功率覆盖(POL)结构，包括POL子模块。POL子模块包括介电层和具有附接到介电层上的顶表面的半导体装置。半导体装置的顶表面具有形成在其上的至少一个接触垫。POL子模块还包括金属互连结构，其延伸穿过介电层，且电性地联接到半导体装置的至少一个接触垫上。传导垫片联接到半导体装置的底表面上，且热界面的第一侧联接到传导垫片上。散热件联接到电绝缘的热界面的第二侧上。 | ||
| 搜索关键词： | 功率 覆盖 结构 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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