[发明专利]三维阻变式随机读取存储器在审
申请号: | 202010052642.1 | 申请日: | 2020-01-17 |
公开(公告)号: | CN113140247A | 公开(公告)日: | 2021-07-20 |
发明(设计)人: | 张国飙;张国兴;翟正军;于洪宇;周生明;郭跃进 | 申请(专利权)人: | 南方科技大学 |
主分类号: | G11C13/00 | 分类号: | G11C13/00 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 518055 广东省深*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | 本发明提出一种三维阻变式随机读取存储器(3D‑RRAM)。阻变式随机读取存储(RRAM)阵列(0A)含有一条哑字线和多条哑位线。只有位于哑字线和哑位线交叉处的存储元被编程;其它所有哑存储元均未编程。读取数据时,哑字线和一条数据字线的上电压同时上升到读电压。本发明还提出了各种参考电压的产生方法。 | ||
搜索关键词: | 三维 阻变式 随机 读取 存储器 | ||
【主权项】:
暂无信息
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