[发明专利]一种具有环形沟道区的MOS器件及其制备方法有效
| 申请号： | 202010052995.1 | 申请日： | 2020-01-17 |
| 公开（公告）号： | CN111244160B | 公开（公告）日： | 2022-11-01 |
| 发明（设计）人： | 刘金彪;王桂磊;李俊峰;王垚 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L29/10 | 分类号： | H01L29/10;H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京天达知识产权代理事务所有限公司 11386 | 代理人： | 程虹 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本申请公开了一种具有环形沟道区的MOS器件及其制备方法，属于MOS器件技术领域，解决了现有技术中尺寸较小(例如，纳米级)的平面MOS器件短沟道效应以及栅控能力和饱和电流下降的问题。本申请的MOS器件包括源极、漏极、栅极和沟道区，漏极位于源极外围，沟道区位于源极和漏极之间，沟道区的形状为环形；沿源极至漏极方向，沟道区表面开设多个沟道，栅极位于沟道内。本申请的制备方法包括如下步骤：形成源极和漏极；在源极和漏极之间形成沟道区；沿源极至漏极方向，在沟道区表面刻蚀、外延沟道材料形成沟道；在沟道内形成栅极。本申请的MOS器件及其制备方法能够展宽电流通道的面积、提高饱和电流。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 具有 环形 沟道 mos 器件 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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