[发明专利]静电测量设备及静电测量方法有效
| 申请号： | 202010054522.5 | 申请日： | 2020-01-17 |
| 公开（公告）号： | CN111257714B | 公开（公告）日： | 2022-11-29 |
| 发明（设计）人： | 袁增艺;龙吟;王恺 | 申请（专利权）人： | 上海华力集成电路制造有限公司 |
| 主分类号： | G01R31/26 | 分类号： | G01R31/26 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 焦天雷 |
| 地址： | 201203 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种用于半导体晶圆表面静电测量的静电测量设备，包括：支撑部顶部设有多个第一电性测量件，各第一电性测量件第一端分别与半导体晶圆各晶粒测试触点电性连接；第二电性测量件卡固在半导体晶圆周侧并形成电性连接；测量单元第一端电性连接各第一电性测量件第二端，其第二端电性连接第二电性测量件，其用于测量第一电性测量件和第二电性测量件之间电流。本发明还公开了一种用于半导体晶圆表面静电测量的静电测量方法。通过本发明提供的静电测量设备/测量方法能够在半导体生产中及时发现晶圆静电，并能够通过本发明提供的静电测量设备将晶圆静电接地导出，避免晶圆静电造成后续工艺缺陷，进而提高半导体产品的良品率，提高生产效率。 | ||
| 搜索关键词： | 静电 测量 设备 测量方法 | ||
【主权项】：
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