[发明专利]半导体器件及其制造方法有效
| 申请号： | 202010054768.2 | 申请日： | 2020-01-17 |
| 公开（公告）号： | CN111524974B | 公开（公告）日： | 2023-06-02 |
| 发明（设计）人： | 吴伟成;亚历山大·卡尔尼斯基;罗仕豪;柯弘彬 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/45;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京派特恩知识产权代理有限公司 11270 | 代理人： | 薛恒;王琳 |
| 地址： | 中国台湾新竹科*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本公开的各种实施例涉及一种半导体器件，所述半导体器件包括栅极结构。所述半导体器件还包括一对间隔件段，所述一对间隔件段位于半导体衬底上。高介电常数栅极介电结构上覆在所述半导体衬底上。所述高介电常数栅极介电结构在横向上位于所述间隔件段之间且与所述间隔件段相邻。所述栅极结构上覆在所述高介电常数栅极介电结构上且具有与所述间隔件段的顶表面大约齐平的顶表面。所述栅极结构包括金属结构及栅极本体层。所述栅极本体层具有相对于所述金属结构的顶表面在垂直方向上偏置的顶表面且还具有被所述金属结构以杯状包围的下部部分。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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