[发明专利]NAND闪存的字线偏置电压生成电路在审
| 申请号： | 202010055313.2 | 申请日： | 2020-01-17 |
| 公开（公告）号： | CN112863576A | 公开（公告）日： | 2021-05-28 |
| 发明（设计）人： | 金在观;孙成思 | 申请（专利权）人： | 深圳市优黎泰克科技有限公司 |
| 主分类号： | G11C16/08 | 分类号： | G11C16/08;G11C16/12;G11C16/14 |
| 代理公司： | 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人： | 方宇 |
| 地址： | 518051 广东省深圳市*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种NAND闪存的字线偏置电压生成电路，包括：高电压生成部，其用于产生高电压；擦除控制逻辑，其用于根据区块选择信号输出擦除电压及选择信号；电平转换器，其用于转换所述高电压生成部的电压以产生编程模式的字线电压；字线电压控制部，当操作模式未处于擦除模式时，其用于通过第一高电压开关选择所述电平转换器的输出，以作为字线偏置电压进行输出；以及第二高电压开关，其用于在擦除模式下根据所述擦除控制逻辑的控制将擦除电压作为字线偏置电压进行输出。 | ||
| 搜索关键词： | nand 闪存 偏置 电压 生成 电路 | ||
【主权项】：
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