[发明专利]沟槽型MOSFET器件及其制备方法有效
| 申请号： | 202010055747.2 | 申请日： | 2020-01-17 |
| 公开（公告）号： | CN113140632B | 公开（公告）日： | 2022-12-23 |
| 发明（设计）人： | 不公告发明人 | 申请（专利权）人： | 清纯半导体（宁波）有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京三聚阳光知识产权代理有限公司 11250 | 代理人： | 李亚南 |
| 地址： | 315336 浙江省宁波*** | 国省代码： | 浙江;33 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供了一种沟槽型MOSFET器件及其制备方法。沟槽型MOSFET器件，通过在所述沟槽内且位于所述绝缘层上设置金属连接部，并且金属连接部贯穿槽底的绝缘层、栅极和栅氧化层，可以通过金属连接部直接将电场保护部与源极连接，也即通过互连金属的方式将电场保护部与源极连接，这样设置可大大降低连接路径，降低电阻，最终提高器件的开关响应。 | ||
| 搜索关键词： | 沟槽 mosfet 器件 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于清纯半导体（宁波）有限公司，未经清纯半导体（宁波）有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202010055747.2/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：数据处理方法、装置、设备及存储介质
- 下一篇：一种半导体器件及其制造方法
- 同类专利
- 专利分类
