[发明专利]一种低夹断电压的JFET结构及制作方法有效
申请号: | 202010057743.8 | 申请日: | 2020-01-19 |
公开(公告)号: | CN111244155B | 公开(公告)日: | 2023-03-07 |
发明(设计)人: | 段文婷;房子荃 | 申请(专利权)人: | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
主分类号: | H01L29/06 | 分类号: | H01L29/06;H01L21/337;H01L29/80 |
代理公司: | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人: | 戴广志 |
地址: | 201203 上海市浦东*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 本发明提供一种低夹断电压的JFET结构及制作方法,P型衬底,位于P型衬底上的N型深阱;位于N型深阱中的P型注入区,该P型注入区将N型深阱隔离为位于P型注入区下方的第一N型深阱和位于P型注入区上方的第二N型深阱;位于第二N型深阱上的第一、第二场氧区,该两个场氧区之间设有P型重掺杂区。本发明通过将待夹断区域N型深阱的深度变浅来实现低夹断电压,P型注入区将N型深阱分为上下两部分,P型注入区通过P阱从表面引出接地,利用P型重掺杂区和P型注入区夹断上部分的N型深阱,来达到降低夹断电压的目的。 | ||
搜索关键词: | 一种 断电 jfet 结构 制作方法 | ||
【主权项】:
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